Explorando catalisadores altamente seletivos por meio da fabricação de vacância de oxigênio em TiO2
Ilustração esquemática da oxidação da ligação C-H primária do tolueno. Crédito:Chen Cheng et al.
Vacância de oxigênio (O
v ) influencia significativamente o processo de oxidação através da adsorção e ativação de oxigênio. A dopagem de elementos pode fabricar vacância de oxigênio no dióxido de titânio (TiO
2 ), mas os efeitos dos dopantes na reação de oxidação sobre a vacância de oxigênio permanecem obscuros.
Uma equipe de pesquisa do Centro de Pesquisa para Ciências Eco-Ambientais da Academia Chinesa de Ciências recentemente fabricou vacância de oxigênio dopando nitrogênio em anatase TiO
2 . Seus resultados foram publicados em
Cell Reports Physical Science .
Para fabricar vacância de oxigênio com diferentes estruturas, os pesquisadores doparam nitrogênio (N) e boro (B) em anatase TiO
2 (N-TiO
2 e B-TiO
2 ). Ambos N
-
–Ti
3+
–O
v e Ti
3
+
–O
v foram observados em N-TiO
2 , mas apenas Ti
3+
–O
v em TiO
2 e B-TiO
2 . Os resultados mostraram que N
-
–Ti
3+
–O
v é mais reativo que Ti
3+
–O
v em O
2 ativação.
Além disso, o N
-
–Ti
3+
–O
v sítios ativos formados em N-TiO
2 aumentam significativamente o rendimento térmico e a seletividade da oxidação das ligações C-H primárias no tolueno.
A adsorção e ativação de O
2 são a etapa limitante da taxa na oxidação seletiva de ligações C-H primárias em tolueno. N
-
–Ti
3+
–O
v como doadores de elétrons contribuíram para uma rápida formação de espécies de superoxigênio (·O
2
-
), que demonstrou ser oxigênio ativo para a oxidação da ligação C-H primária.
A fabricação de N
-
–Ti
3+
–O
v sites abre um novo caminho para dopantes para melhorar a reatividade de vacância de oxigênio e aumentar a seletividade de oxidação primária C-H.
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