A equipe liderada pelo Prof. Michael Horn-von Hoegen da UDE visa produzir a camada mais fina possível de boro, o chamado borofeno, uma vez que promete propriedades que podem permitir a construção de transistores bidimensionais. A epitaxia de feixe molecular usada para esse propósito até agora resulta em domínios que são muito pequenos. Para investigações mais precisas e para uso em tecnologia, Contudo, áreas maiores são necessárias.

Com seu método recém-desenvolvido de epitaxia aprimorada por segregação, a equipe usa gás borazino e um substrato de irídio. Os componentes essenciais da borazina são átomos de boro e nitrogênio dispostos em uma estrutura de favo de mel hexagonal. Ao aquecer a amostra de irídio em um ambiente contendo borazina, as moléculas de boro se ligam à superfície, seguido pela evaporação do nitrogênio. Acima de 1100 ° C, o boro se move para o irídio, porque em temperaturas tão altas o irídio pode absorver átomos de boro adicionais como uma esponja - até um quarto de seu próprio volume. Quando o sistema esfriar, borofeno - a camada de boro com um único átomo - precipita-se na superfície do cristal de irídio. No processo, ele não cresce além dos degraus da superfície do cristal subjacente, mas os empurra em todas as direções para formar áreas tão grandes quanto possível.

Próxima etapa:Desapego

Especialistas do Centro Interdisciplinar de Análise em Nanoescala (ICAN), liderado pelo Professor Frank-J. Meyer zu Heringdorf, conseguiram provar, sem sombra de dúvida, que as áreas são compostas exclusivamente por átomos de boro e que o nitrogênio desapareceu da amostra.

Em uma próxima etapa, os pesquisadores querem investigar como o borofeno pode ser separado do substrato de irídio.