p (PhysOrg.com) - Em um relatório publicado em Natureza , Yu-ming Lin e Phaedon Avoris, Pesquisadores da IBM, anunciaram o desenvolvimento de um novo transistor de grafeno que é menor e mais rápido do que o lançado em fevereiro de 2010. Este novo transistor tem uma frequência de corte de 155 GHz, em comparação com o transistor anterior de 100 GHz. p O grafeno é uma folha plana de carbono com a espessura de um átomo e a capacidade de conduzir elétrons a velocidades extremamente rápidas. Ele está rapidamente substituindo o silício tradicional como o principal material eletrônico para transistores mais rápidos.

p Dispositivos de grafeno foram feitos anteriormente, colocando a folha de grafeno em cima de um substrato isolante, como o dióxido de silício. Contudo, este substrato pode degradar as propriedades eletrônicas do grafeno. Contudo, a equipe de pesquisadores encontrou uma solução para minimizar isso.

p Um carbono semelhante a diamante é colocado como a camada superior do substrato em uma pastilha de silício. O carbono é dielétrico apolar e não captura ou espalha cargas tanto quanto o dióxido de silício sozinho. Este novo transistor de grafeno, devido ao carbono semelhante ao diamante, mostra excelente estabilidade nas mudanças de temperatura, incluindo temperaturas extremamente frias como a do espaço.

p Esses novos transistores de alta frequência estão sendo direcionados para aplicações principalmente em comunicações, como telefones celulares, Internet, e radar.

p A fabricação desses novos transistores de grafeno pode ser realizada utilizando tecnologias já existentes para dispositivos de silício padrão, o que significa que a produção comercial desses transistores pode começar a qualquer momento.

p O desenvolvimento do transistor foi parte de um projeto de pesquisa em andamento que a IBM está realizando para o programa DARPA (Defense Advanced Research Projects Agency) do Departamento de Defesa dos EUA. Os militares estão olhando para essa pesquisa para ajudar no desenvolvimento de transistores de radiofrequência de alto desempenho. p © 2010 PhysOrg.com