Deposição química de vapor (CVD): Este processo envolve a reação química de um gás precursor vaporizado com um substrato para depositar uma película fina. Por exemplo, o nitreto de silício (Si3N4) pode ser depositado pela reação dos gases silano (SiH4) e amônia (NH3) em altas temperaturas.

Deposição física de vapor (PVD): Este processo envolve a deposição física de material sobre um substrato por evaporação ou pulverização catódica. Por exemplo, filmes metálicos podem ser depositados por evaporação térmica, onde o metal é aquecido até vaporizar e então condensar no substrato.

Eletrodeposição: Este processo envolve a deposição de material sobre um substrato por meio de reações eletroquímicas. Por exemplo, o cobre pode ser eletrodepositado imergindo o substrato em uma solução de sulfato de cobre e aplicando uma voltagem entre o substrato e um eletrodo de cobre.

Epitaxia por feixe molecular (MBE): Este processo envolve o crescimento de filmes finos monocristalinos pela deposição sequencial de camadas atômicas individuais. Por exemplo, o arseneto de gálio (GaAs) pode ser cultivado por MBE depositando alternadamente camadas de átomos de gálio e arsênico em um substrato.

Deposição de camada atômica (ALD): Este processo envolve a deposição sequencial de camadas atômicas individuais por pulsos alternados de gases precursores. Por exemplo, o óxido de alumínio (Al2O3) pode ser depositado por ALD por pulsos alternados de gases trimetilalumínio (TMA) e água (H2O).