Por que o semicondutor de germânio é usado no experimento de efeito Hall e não no silício?
O germânio é preferido ao silício em experimentos de efeito Hall por vários motivos:
Maior mobilidade: O germânio tem uma mobilidade de portadores maior que o silício, o que significa que os portadores de carga (elétrons ou lacunas) podem se mover mais livremente através do material. Isto resulta numa tensão Hall maior, o que torna a medição do efeito Hall mais precisa.
Menor concentração de transportadores: O germânio tem uma concentração de portadores intrínsecos mais baixa que o silício, o que significa que há menos portadores de carga livre no material à temperatura ambiente. Isso reduz o ruído de fundo na medição do efeito Hall, facilitando a detecção do sinal de interesse.
Facilidade de processamento: O germânio é mais fácil de processar do que o silício, tornando-o mais adequado para a fabricação de amostras finas necessárias para experimentos de efeito Hall. O germânio pode ser facilmente clivado para produzir superfícies de alta qualidade e pode ser dopado com impurezas para controlar suas propriedades elétricas.
Em resumo, a maior mobilidade do portador, a menor concentração do portador e a facilidade de processamento tornam o germânio um material mais adequado para experimentos de efeito Hall em comparação ao silício.