p Televisores flexíveis, tablets e telefones, bem como tecnologia inteligente 'verdadeiramente vestível', estão um passo mais perto, graças a um transistor em nanoescala criado por pesquisadores da Universidade de Manchester e da Universidade de Shandong, na China. p A equipe internacional desenvolveu um ultrarrápido, transistor em nanoescala - conhecido como transistor de filme fino, ou TFT, - feito de um semicondutor de óxido. O TFT é o primeiro transistor baseado em óxido-semicondutor capaz de operar a uma velocidade de referência de 1 GHz. Isso pode tornar a próxima geração de aparelhos eletrônicos ainda mais rápidos, mais brilhante e mais flexível do que nunca.

p Um TFT é um tipo de transistor geralmente usado em uma tela de cristal líquido (LCD). Eles podem ser encontrados na maioria dos aparelhos modernos com telas de LCD, como smartphones, tablets e televisores de alta definição.

p Como eles funcionam? O LCD apresenta um TFT atrás de cada pixel individual e eles agem como interruptores individuais que permitem que os pixels mudem de estado rapidamente, fazendo-os ligar e desligar muito mais rapidamente.

p Mas a maioria dos TFTs atuais são baseados em silício, que são opacos, rígido e caro em comparação com a família de transistores de semicondutores de óxido que a equipe do Reino Unido e da China está desenvolvendo. Embora os TFTs de óxido melhorem a imagem em monitores LCD, é sua flexibilidade que é ainda mais impressionante.

p Aimin Song, Professor de Nanoeletrônica na Escola de Engenharia Elétrica e Eletrônica, A Universidade de Manchester, explica:"As TVs já podem ser feitas extremamente finas e brilhantes. Nosso trabalho pode ajudar a tornar a TV mais flexível mecanicamente e ainda mais barata de produzir.

p "Mas, talvez ainda mais importante, nossos transistores de GHz podem permitir circuitos eletrônicos flexíveis de médio ou mesmo alto desempenho, como eletrônicos realmente vestíveis.

p "A eletrônica vestível requer flexibilidade e, em muitos casos, transparência, também. Esta seria a aplicação perfeita para nossa pesquisa.

p "Mais, há uma tendência no desenvolvimento de casas inteligentes, hospitais e cidades inteligentes - em todos os quais os TFTs de semicondutores de óxido terão um papel fundamental. "

p A tecnologia à base de óxido teve um rápido desenvolvimento quando comparada à sua contraparte de silício, que está cada vez mais próxima de algumas limitações fundamentais. O professor Song diz que houve um progresso rápido em semicondutores de óxido nos últimos anos e esforços extensivos foram feitos para melhorar a velocidade dos TFTs baseados em semicondutores de óxido.

p Tanto é assim, alguma tecnologia à base de óxido já começou a substituir o silício amorfo em alguns aparelhos. O professor Song acredita que esses últimos desenvolvimentos trouxeram a comercialização muito mais perto.

p Ele acrescentou:"Para comercializar produtos eletrônicos baseados em óxidos, ainda há uma série de pesquisas e desenvolvimento que devem ser realizados em materiais, litografia, design do dispositivo, testando, e por último mas não menos importante, manufatura em grandes áreas. Demorou muitas décadas para a tecnologia do silício chegar tão longe, e os óxidos estão progredindo em um ritmo muito mais rápido.

p "Fazendo um dispositivo de alto desempenho, como nosso transistor IGZO de GHz, é desafiador porque não apenas os materiais precisam ser otimizados, uma série de questões relacionadas ao design do dispositivo, fabricação e testes também devem ser investigados. Em 2015, fomos capazes de demonstrar os diodos flexíveis mais rápidos usando semicondutores de óxido, atingindo 6,3 GHz, e ainda é o recorde mundial até hoje. Portanto, estamos confiantes nas tecnologias baseadas em óxido-semicondutor. "