Pesquisadores coreanos da DGIST provaram a existência do gap superior do dissulfeto de rênio atômico (ReS ₂ ) camadas na estrutura atômica condutora de energia de ionização. O trabalho resultou de um estudo conjunto com a equipe de pesquisa do professor Jong-hyun Ahn na Universidade Yonsei.

A academia apenas teoricamente previu a área de energia de ionização das estruturas atômicas 2-D e teve dificuldades em provar a existência real da estrutura. Contudo, A equipe de pesquisa do professor Hyunmin Kim na DGIST pôde observar a estrutura real usando um sistema de imagem de geração de segundo harmônico resolvido no tempo (TSHG) que desenvolveu, comprovando a existência de camadas de gap de dissulfeto.

O sistema pode gerar imagens dos sons de uma estrutura de camadas atômicas em alta resolução. Aumentou a sensibilidade de medição dos efeitos de dispersão do ruído da camada e observou os movimentos do elétron dentro das bandas de transição, que consistem em raios visíveis e raios ultravioleta próximos, usando a energia de sondagem da largura de banda do infravermelho.

Dr. Kim disse, "Através desta pesquisa, poderemos esclarecer a estrutura de band gaps multicamadas existentes em várias estruturas atópicas além do dissulfeto de rênio que foi observado desta vez. Forneceu elementos importantes para analisar as causas não identificadas de atividades eletrônicas que contribuem para acionar os sensores ópticos e fotocatalisadores de várias estruturas 2-D. No futuro, Espero desenvolver um dispositivo que opere óptica e eletricamente por um novo intervalo de banda. "

Professor Lee, que calculou as teorias que levaram a esta pesquisa, disse, "Pudemos observar bandgaps multicamadas nesta pesquisa, que ajudará muito com estudos relacionados, como a observação de lacunas de banda de estruturas de junção e melhorar a aglomeração de dispositivos no futuro. "

Este estudo foi publicado em Luz:Ciência e Aplicação em 28 de novembro, 2018.