Explique por que o silício dopado com arsênico conduz a corrente elétrica melhor do que o silício puro?
Eis por que o silício dopado com arsênico conduz a eletricidade melhor do que o silício puro:
Entendendo o básico *
estrutura de silício: O silício é um semicondutor, o que significa que tem uma condutividade entre a de um condutor (como cobre) e um isolador (como vidro). Seus átomos têm quatro elétrons externos, formando fortes ligações covalentes em uma treliça de cristal.
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silício puro: No silício puro, todos os elétrons estão fortemente ligados nessas ligações covalentes. À temperatura ambiente, muito poucos elétrons ganham energia suficiente para se libertar e se tornarem portadores de carga móvel. Isso limita a condutividade.
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Doping: O doping envolve a introdução intencional de impurezas na rede de cristal de silício. Essas impurezas alteram as propriedades elétricas do silício.
doping arsênico:a chave para a condutividade * Propriedades do arsênico: O arsênico possui cinco elétrons externos. Quando substitui um átomo de silício na rede de cristal, forma quatro ligações covalentes, como o silício, mas possui um elétron extra.
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elétrons extras: Este elétron extra do arsênico não está envolvido na ligação. Está vagamente ligado ao átomo de arsênico e pode facilmente se tornar um elétron livre, contribuindo para a condutividade elétrica.
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Aumento da condutividade: Como o doping de arsênico introduz um número significativo de elétrons livres, o cristal de silício pode realizar eletricidade muito melhor que o silício puro. Isso ocorre porque esses elétrons livres podem transportar corrente elétrica quando um campo elétrico é aplicado.
em resumo O doping de arsênico aumenta a condutividade do silício por:
1.
Apresentando elétrons extras: Os átomos de arsênico contribuem com elétrons extras para a rede de silício.
2.
Criando portadores de cobrança gratuitos: Esses elétrons extras são facilmente liberados, tornando -se portadores de cobrança gratuitos.
3.
Facilitando o fluxo de corrente: A presença desses elétrons livres permite um maior fluxo de corrente através do silício.
Este processo, conhecido como doping
N-Type , é crucial para criar dispositivos semicondutores, como transistores e circuitos integrados.