As impurezas doadores em silício são elementos que têm mais um elétron de valência do que o silício (que possui 4 elétrons de valência). Esses elétrons extras são facilmente doados à rede de silício, aumentando o número de elétrons livres e fazendo o silício n-tipo .

Aqui estão algumas impurezas comuns do doador em silício:

* fósforo (P): Esta é a impureza do doador mais usada. Possui 5 elétrons de valência, contribuindo com um elétron extra para a rede de silício.
* arsênico (as): Semelhante ao fósforo, o arsênico também possui 5 elétrons de valência e atua como uma impureza doador.
* Antimônio (SB): O antimônio também possui 5 elétrons de valência e é outra impureza do doador comum.

Esses elementos são normalmente adicionados ao silício em quantidades muito pequenas (partes por milhão ou bilhões) para atingir a condutividade elétrica desejada.