A estrutura metal-isolante-metal (MIM) possui ótimas características de comutação resistiva.

Numa estrutura MIM, uma fina camada de material isolante é colocada entre dois eletrodos metálicos. Quando uma tensão é aplicada aos eletrodos, o campo elétrico no isolador pode causar a quebra do material e formar um caminho condutor entre os eletrodos. Este processo é chamado de comutação resistiva.

As características de comutação resistiva de uma estrutura MIM dependem de vários fatores, incluindo os materiais utilizados, a espessura da camada isolante e a tensão aplicada. No entanto, foi demonstrado que as estruturas MIM exibem excelentes propriedades de comutação resistiva, tornando-as ideais para uso em dispositivos de memória resistiva.

Dispositivos de memória resistiva são um tipo de memória não volátil que usa o efeito de comutação resistiva para armazenar dados. Dispositivos de memória resistiva são candidatos promissores para diversas aplicações, incluindo unidades de estado sólido, memória incorporada e computação neuromórfica.