## Crescimento epitaxial

Este método envolve a deposição de uma película fina do material 2-D em um substrato que possui uma estrutura cristalina semelhante. O substrato fornece um modelo para o crescimento do material 2-D, o que estimula a formação de monocristais.

Deposição de vapor químico (CVD)

Neste método, um vapor contendo os precursores do material 2-D é introduzido em uma câmara. Os precursores reagem no substrato para formar o material 2-D. O CVD pode ser usado para cultivar cristais únicos de alta qualidade de materiais 2-D.

Epitaxia por feixe molecular (MBE)

MBE é uma técnica que utiliza feixes moleculares dos precursores para desenvolver filmes finos de material. O MBE pode ser usado para cultivar monocristais de alta qualidade de materiais 2-D com controle preciso sobre a espessura e composição do filme.

Epitaxia de fase líquida (LPE)

LPE envolve a deposição de uma solução fundida dos precursores em um substrato. O material 2-D cristaliza a partir da solução à medida que esfria. O LPE pode ser usado para cultivar monocristais de materiais 2-D com alto grau de perfeição.

Síntese da fase de solução

Neste método, os precursores do material 2-D são dissolvidos num solvente. A solução é então aquecida até que os precursores reajam para formar o material 2-D. A síntese em fase de solução pode ser usada para cultivar cristais únicos de materiais 2-D em uma variedade de formas e tamanhos.

A escolha do método para ampliar materiais 2-D como cristais únicos depende de vários fatores, incluindo a estrutura cristalina do material, o tamanho e formato desejados dos cristais e os recursos disponíveis.