Nanofitas de grafeno (GNRs) têm sido propostas como um potencial substituto para o silício em dispositivos eletrônicos devido às suas excelentes propriedades elétricas e térmicas. No entanto, existem vários desafios que precisam ser superados antes que os GNRs possam ser amplamente adotados na indústria de semicondutores.

Um dos principais desafios é o alto custo de produção de GNRs. Os actuais métodos de produção ainda são relativamente ineficientes e caros, tornando os GNR impraticáveis ​​para a produção em grande escala. Além disso, a qualidade dos GNRs pode variar significativamente, o que pode afetar as suas propriedades elétricas e o desempenho do dispositivo.

Outro desafio é a falta de um processo de fabricação padrão para GNRs. Ao contrário do silício, que possui um processo de fabricação bem estabelecido, não existe um método padronizado para produzir GNRs com propriedades consistentes. Isto dificulta a integração de GNRs nas linhas de fabricação de semicondutores existentes.

Além disso, as propriedades elétricas dos GNRs podem ser afetadas pelo ambiente, como a presença de impurezas ou defeitos. Isto pode dificultar a obtenção do desempenho elétrico desejado em dispositivos fabricados a partir de GNRs.

Apesar destes desafios, estão em curso pesquisas para abordar estas questões e melhorar a produção e a qualidade dos GNR. Se estes desafios puderem ser superados, os GNRs poderão potencialmente substituir o silício em algumas aplicações eletrônicas.

Em resumo, embora os GNRs tenham propriedades promissoras que poderiam torná-los um substituto potencial para o silício em dispositivos eletrônicos, ainda existem vários desafios significativos que precisam ser superados antes que possam ser amplamente adotados na indústria de semicondutores.