Grafeno, em sua forma regular, não oferece uma alternativa aos chips de silício para aplicações em nanoeletrônica. É conhecido por sua estrutura de banda de energia, que não deixa nenhuma lacuna de energia e nenhum efeito magnético. Redes de antídoto de grafeno, Contudo, são um novo tipo de dispositivo de grafeno que contém uma matriz periódica de buracos - faltando vários átomos na camada única regular de átomos de carbono. Isso faz com que uma lacuna de banda de energia se abra em torno do nível de energia da linha de base do material, efetivamente transformando o grafeno em um semicondutor.

Em um novo estudo publicado em EPJ B , Físicos iranianos investigam o efeito do tamanho do antídoto na estrutura eletrônica e nas propriedades magnéticas dos antídotos triangulares no grafeno. Zahra Talebi Esfahani, da Payame Noor University em Teerã, Irã, e colegas confirmaram a existência de uma abertura de banda em tais redes de grafeno de antídoto, que depende do grau de liberdade do spin do elétron, e que pode ser explorado para aplicações como transistores de spin. Os autores realizam simulações usando furos que têm a forma de triângulos direitos e equiláteros, para explorar os efeitos das bordas em forma de poltrona e em zigue-zague dos orifícios de grafeno nas características do material.

Neste estudo, os valores do gap de energia e da magnetização total, os autores encontram, depende do tamanho, forma e espaçamento dos antídotos. Na verdade, eles podem aumentar com o número de arestas em zigue-zague ao redor dos orifícios. Os momentos magnéticos induzidos estão localizados principalmente nos átomos da borda, com um valor máximo no centro de cada lado do triângulo equilátero. Por contraste, as bordas da poltrona não exibem nenhum momento magnético local.

Graças ao gap de energia criado, tais arranjos periódicos de redes de antídoto triangulares podem ser usados ​​como semicondutores magnéticos. E porque o gap de energia depende dos spins do elétron no material, redes magnéticas de antídoto são candidatos ideais para aplicações spintrônicas.