p Junto com o rápido desenvolvimento da moderna tecnologia da informação, memórias baseadas em carga, como DRAM e memória flash, estão sendo agressivamente reduzidos para atender à tendência atual de dispositivos de pequeno porte. Um dispositivo de memória com alta densidade, velocidade mais rápida, e o baixo consumo de energia é desejado para satisfazer a lei de Moore nas próximas décadas. Entre os candidatos a dispositivos de memória de última geração, a memória resistiva não volátil em forma de barra cruzada (memristor) é uma das soluções mais atraentes por sua não volatilidade, velocidade de acesso mais rápida, ultra-alta densidade e processo de fabricação mais fácil. p Memristores convencionais são geralmente fabricados por meio óptico convencional, imprimir, e abordagens litográficas de feixe eletrônico. Contudo, para cumprir a lei de Moore, a montagem de memristores compostos de nanofios unidimensionais (1D) deve ser demonstrada para atingir dimensões celulares além do limite das técnicas litográficas de última geração, permitindo, assim, explorar totalmente o potencial de dimensionamento da matriz de memória de alta densidade.

p O Prof. Tae-Woo Lee (Departamento de Ciência e Engenharia de Materiais) e sua equipe de pesquisa desenvolveram uma tecnologia de impressão rápida para matriz de memristor escalável e de alta densidade composta de nanofios de metal em forma de barra transversal. A equipe de pesquisa, que consiste no Prof. Tae-Woo Lee, professor de pesquisa Wentao Xu, e o estudante de doutorado Yeongjun Lee na POSTECH, Coréia, publicou suas descobertas em Materiais avançados .

p Eles aplicaram uma técnica emergente, impressão de nanofios eletrohidrohinâmicos (impressão e-NW), que imprime diretamente uma matriz de nanofios altamente alinhada em grande escala na fabricação de memristores de microminiatura, com nanofios de Cu condutores em forma de barra cruzada unidos a uma camada de CuxO em escala nanométrica. O dispositivo de memória resistiva de estrutura de metal-óxido-metal exibiu excelente desempenho elétrico com comportamento de chaveamento resistivo reproduzível.

p Este processo de fabricação simples e rápido evita as técnicas convencionais de vácuo para reduzir significativamente o custo e o tempo de produção industrial. Este método pavimentou o caminho para a futura redução da escala de circuitos eletrônicos, uma vez que os condutores 1D representam uma forma lógica de escalonamento extremo de dispositivos de processamento de dados na escala nanométrica de um dígito.

p Eles também conseguiram imprimir matriz de memristor com várias formas, como linhas paralelas com pitch ajustável, grades, e ondas que podem oferecer uma memória expansível futura para integração em têxteis para servir como um bloco de construção básico para tecidos inteligentes e eletrônicos vestíveis.

p "Esta tecnologia reduz o tempo de espera e o custo notavelmente em comparação com os métodos de fabricação existentes de memória de nanofios em forma de barra cruzada e simplifica seu método de construção, "disse o Prof. Lee." Em particular, esta tecnologia será usada como uma tecnologia de origem para produzir tecidos inteligentes, computadores vestíveis, e dispositivos eletrônicos têxteis. "