Pesquisadores do Instituto de Pesquisa de Nanoeletrônica do Instituto Nacional de Ciência e Tecnologia Industrial Avançada (AIST), em trabalho conjunto com uma equipe NIMS, desenvolveram uma nova técnica para controlar a condutividade elétrica do grafeno.

Na técnica desenvolvida nesta pesquisa, um feixe de íon de hélio é irradiado no grafeno usando um microscópio de íon de hélio para introduzir artificialmente uma baixa concentração de defeitos de cristal, e torna-se possível modular o movimento dos elétrons e buracos no grafeno aplicando uma voltagem ao eletrodo da porta.

Embora este fenômeno de controle de condução por introdução de defeitos de cristal tenha sido previsto teoricamente, não houve exemplos em que a operação liga / desliga à temperatura ambiente foi alcançada experimentalmente. É possível introduzir a técnica desenvolvida neste trabalho no quadro de tecnologia de produção existente, incluindo bolachas de grande área.

Os detalhes desta tecnologia foram apresentados na Conferência Internacional de Dispositivos e Materiais de Estado Sólido de 2012 (SSDM2012) realizada em Kyoto, Japão, 25 a 27 de setembro, 2012