p (PhysOrg.com) - Pesquisadores do NIST Center for Nanoscale Science and Technology e Sandia National Laboratories publicaram uma revisão detalhada de trabalhos experimentais e teóricos recentes, destacando a física incomum e a ciência de materiais de contatos elétricos em nanoestruturas. p No Nature Nanotechnology artigo, os pesquisadores explicam que os modelos existentes de contatos elétricos em dispositivos semicondutores em massa são inaplicáveis ​​em nanoescala, e argumentar que, para que os nanossistemas progridam para o uso prático, é fundamental controlar a carga nos contatos elétricos.

p Novos modelos são necessários para entender a formação de contato e o transporte de carga. Em contatos convencionais, a interface entre um metal e um semicondutor é plana, mas os nanocontatos têm múltiplas geometrias possíveis, cada um com propriedades exclusivas. A cinética e a termodinâmica das interfaces metal / nanoestrutura também diferem daquelas do bulk devido às suas pequenas dimensões laterais e à maior capacidade das nanoestruturas de acomodar deformações. Três exemplos ilustram a gama de contatos possíveis com diferentes nanomateriais.

p Primeiro, junções abruptas de siliceto epitaxial / nanofio de silício com novas orientações podem ser formadas a temperaturas bem abaixo das necessárias para filmes finos de metal, fornecendo novas oportunidades para dispositivos emergentes, como MOSFETs de drenagem de fonte de metal e SpinFETs.

p Segundo, para contatos de metal com nanotubos de carbono, A carbonização conduzida cataliticamente da interface resulta em um contato de grafeno-CNT eletricamente transparente.

p Finalmente, Fazer contatos ôhmicos de baixa resistência com nanofios semicondutores tem se mostrado desafiador e requer uma nova compreensão de dopagem em escala nanométrica.

p Os pesquisadores concluíram que uma melhor compreensão da ciência básica dos contatos em nanoescala é necessária para permitir que materiais em nanoescala sejam incorporados em novos projetos de dispositivos úteis.