Aqui estão duas reações químicas cruciais na produção de chips de silício:

1. Oxidação:

* Reação: Silício (Si) + Oxigênio (O2) → Dióxido de Silício (SiO2)
* Processo: Essa reação forma uma camada protetora de dióxido de silício (SiO2), também conhecida como sílica, na superfície da bolacha de silício. Essa camada atua como um isolador, impedindo conexões elétricas indesejadas e fornecendo uma superfície estável para um processamento adicional.
* Objetivo: Cria uma camada de barreira para as etapas subsequentes, define padrões para transistores e ajuda no doping.

2. Doping:

* Reação: Silício (Si) + Dopante (por exemplo, boro, fósforo, arsênico) → silício dopado
* Processo: Esse processo envolve a introdução de impurezas (dopantes) na rede de cristal de silício. Essas impurezas podem adicionar elétrons extras (doping n do tipo n) ou criar "orifícios" para que os elétrons se movam (doping do tipo P).
* Objetivo: Os dopantes controlam a condutividade elétrica do silício, permitindo a criação de junções P-N, que são fundamentais para transistores e outros dispositivos semicondutores.

Estes são apenas dois exemplos das muitas reações químicas envolvidas na fabricação de chips de silício. O processo é extremamente complexo e envolve muitas outras reações, como gravação, deposição e fotolitografia.