p Algumas ligas estão no estado líquido em ou próximo à temperatura ambiente. Essas ligas são geralmente compostas de gálio e índio (elementos usados ​​em lâmpadas de baixo consumo de energia), estanho e bismuto (materiais usados ​​em construções). A proporção e a natureza dos elementos nas ligas líquidas geram fenômenos extraordinários na superfície dos metais líquidos, raramente explorados até hoje e que é a competição entre os elementos para ocupar a superfície das ligas. Como tal, a composição da superfície das ligas é diferente do núcleo e esta área de superfície pode ser potencialmente usada para colher novos materiais com composições e propriedades sem precedentes. p Pela primeira vez, pesquisadores da UNSW Sydney propuseram que o fenômeno relacionado à competição de superfície entre os elementos pode ser usado como uma abordagem para a colheita de folhas de óxido de metal misto que podem ser usadas em eletrônica. Esta observação pode levar a novos horizontes para a produção de grandes materiais eletrônicos bidimensionais (2D) a partir da superfície de metais líquidos para aplicação em indústrias eletrônicas e ópticas. Convencionalmente, os processos de fabricação usados ​​para fabricar dispositivos eletrônicos e ópticos são realizados em ambientes extremamente limpos sob condições rigorosamente controladas com materiais ultrapuros. A menor impureza leva a uma perda significativa de funcionalidade no dispositivo final. Esses processos são ainda mais críticos quando os dopantes são adicionados. Contudo, com o processo recém-desenvolvido, o enriquecimento da superfície e dopagem são conduzidos naturalmente dentro das ligas e contaminações por outros elementos são evitadas.

p Aqui, os pesquisadores mostraram o exemplo das ligas de bismuto e estanho para explorar o contraste entre a superfície e o núcleo de metais líquidos. Surpreendentemente, nessas ligas, o conteúdo de bismuto era notavelmente menor do que o estanho nas nanofolhas colhidas, mesmo em concentrações muito altas de bismuto nas ligas líquidas.

p "Aproveitando o enriquecimento seletivo de interfaces de metal líquido, e colher as camadas semicondutoras de óxido de metal dopado, a complexidade dos processos convencionais pode ser mitigada e um alto grau de controle sobre os resultados pode ser alcançado, "disse o Dr. Mohammad Bagher Ghasemian, o principal autor da obra. "A ideia demonstrada aqui oferece potencial real para impactar vários processos para o projeto de materiais semicondutores para aplicações em grande escala nas indústrias de eletrônica e óptica, "acrescentou o professor Kourosh Kalantar-Zadeh, o autor correspondente deste estudo e o diretor do Centro de Ótica e Eletrônica de Base Sólida e Líquida Avançada (CASLEO).