O dissulfeto de silício (SiS$_2$) adota uma geometria molecular curvada com um ângulo de ligação de aproximadamente 119,5 graus. A forma molecular do SiS$_2$ pode ser descrita como angular ou em forma de V.

Esta geometria molecular e ângulo de ligação podem ser entendidos com base na teoria da repulsão de pares de elétrons da camada de valência (VSEPR). Em SiS$_2$, o átomo central de silício (Si) está ligado a dois átomos de enxofre (S), cada um através de uma ligação dupla. O silício possui quatro elétrons de valência, dos quais dois estão envolvidos em ligações duplas com cada átomo de enxofre. Isso deixa dois pares solitários de elétrons no átomo de silício.

De acordo com a teoria VSEPR, o arranjo dos pares de elétrons em torno de um átomo central adotará uma geometria que minimize a repulsão entre eles. No caso do SiS$_2$, os dois pares solitários de elétrons no átomo de silício são orientados o mais distantes possível para minimizar a repulsão elétron-elétron. Isto resulta na geometria molecular curvada com um ângulo de ligação de aproximadamente 119,5 graus.

A forma molecular angular ou em forma de V do dissulfeto de silício é influenciada pela repulsão entre os dois pares solitários de elétrons no átomo de silício e os pares de elétrons de ligação envolvidos nas ligações duplas com os átomos de enxofre. Este arranjo leva a uma geometria tetraédrica distorcida do par de elétrons em torno do átomo de silício, dando origem à estrutura molecular curvada.