Um cristal, que normalmente é um isolante, pode se tornar um condutor se for dopado com impurezas.

O processo de adição de impurezas a um semicondutor é denominado dopagem. A dopagem pode alterar as propriedades elétricas do semicondutor, como sua condutividade, alterando o número de elétrons livres ou lacunas no material.

Existem dois tipos principais de doping:
doping tipo P e doping tipo n .

Doping tipo P envolve adicionar átomos com um elétron de valência a menos do que os átomos do semicondutor ao semicondutor. Isso cria uma carga líquida positiva no semicondutor, o que leva à formação de buracos. Esses orifícios podem mover-se livremente através do semicondutor, permitindo-lhe conduzir eletricidade.

Doping tipo N envolve adicionar átomos com mais um elétron de valência do que os átomos do semicondutor ao semicondutor. Isso cria uma carga líquida negativa no semicondutor, o que leva à formação de elétrons livres. Esses elétrons podem se mover livremente através do semicondutor, permitindo-lhe conduzir eletricidade.

Quando um semicondutor é dopado com impurezas do tipo n e do tipo p, ele cria uma junção p-n. As junções P-n são os blocos de construção dos transistores, que são usados ​​em uma ampla variedade de dispositivos eletrônicos.