Pesquisadores da Universidade da Califórnia, Berkeley, demonstraram um novo método para a criação de nanopontes que poderia levar à produção em massa de dispositivos em nanoescala. A técnica, que utiliza uma combinação de litografia e gravação, permite a colocação precisa de nanopontes individuais com alto grau de precisão. Isto poderia permitir o desenvolvimento de novos dispositivos eletrônicos em nanoescala, como transistores e sensores, bem como outros sistemas nanoeletromecânicos (NEMS).

Nanobridges são estruturas minúsculas que consistem em uma estreita faixa de material que conecta dois pedaços maiores de material. Eles são frequentemente usados ​​em dispositivos eletrônicos para controlar o fluxo de corrente. No entanto, os métodos tradicionais para a criação de nanobridges são complexos e demorados, tornando-os impraticáveis ​​para produção em massa.

A nova técnica desenvolvida em Berkeley usa um processo chamado “litografia de nanofios auto-alinhados” para criar as nanopontes. Este processo começa com a deposição de uma fina camada de material, como silício ou metal, sobre um substrato. O material é então padronizado usando um processo litográfico para criar uma série de linhas estreitas. Essas linhas são então gravadas usando um processo de gravação de íons reativos (RIE) para formar as nanopontes.

A vantagem desta técnica é que ela permite a colocação precisa de nanobridges individuais com alto grau de precisão. Isto é importante para o desenvolvimento de dispositivos em nanoescala, pois o posicionamento preciso dos componentes é essencial para o funcionamento adequado.

Os pesquisadores demonstraram a técnica criando uma série de nanopontes com diferentes larguras e comprimentos. Eles descobriram que as nanopontes poderiam ser posicionadas com precisão com uma tolerância inferior a 10 nanômetros. Este nível de precisão é suficiente para o desenvolvimento de muitos dispositivos em nanoescala.

Os pesquisadores acreditam que a litografia de nanofios auto-alinhados poderia reduzir potencialmente o custo e a complexidade da fabricação de dispositivos em nanoescala. Isto poderia abrir novas possibilidades para o desenvolvimento de uma ampla gama de dispositivos eletrônicos em nanoescala, incluindo transistores, sensores e NEMS.

A pesquisa foi publicada na revista Applied Physics Letters.