Revisão colaborativa revela o potencial do grafeno no avanço da tecnologia de semicondutores de nitreto
Aplicação de grafeno sem transferência em substratos isolantes para epitaxia de nitreto III. Crédito:Science China Press Em uma revisão abrangente, pesquisadores da Universidade Soochow, do Instituto de Grafeno de Pequim e da Xiamen Silan Advanced Compound Semiconductor Co., Ltd. colaboraram para fornecer uma visão sistemática do progresso e das aplicações potenciais do grafeno como camada tampão para o crescimento epitaxial de nitreto.
O artigo reúne perspectivas da academia, instituições de pesquisa e profissionais da indústria de semicondutores para propor soluções para questões críticas na tecnologia de semicondutores.
O grafeno, um material bidimensional conhecido por suas propriedades elétricas e mecânicas excepcionais, tem despertado interesse significativo por seu uso prospectivo no crescimento de semicondutores de nitreto. Apesar dos avanços notáveis no crescimento da deposição química de vapor (CVD) do grafeno em vários substratos isolantes, a produção de grafeno de alta qualidade e a obtenção de compatibilidade ideal de interface com materiais de nitreto do Grupo III continuam sendo grandes desafios no campo.
A revisão fornece uma visão aprofundada dos gargalos nas técnicas de fabricação de grafeno transferido e dos mais recentes avanços no crescimento do grafeno sem transferência. Ele também discute o progresso atual no cultivo de grafeno livre de transferência em diferentes substratos isolantes e suas aplicações potenciais na epitaxia de nitreto. Secção fundamental do Hypacrosaurus (MOR 548) supraoccipital mostra excepcional preservação histológica da cartilagem calcificada. (A) Um supraoccipital isolado (So) de Hypacrosaurus em vista dorsal. (B – D) Corte básico de outro So mostrando cartilagem calcificada com lacunas hipertróficas de condrócitos. (C) Alguns dupletos celulares aparecem vazios (seta verde), mas outros (seta rosa) apresentam material condensado mais escuro, consistente em forma e localização com um núcleo (setas brancas). (D) Material escuro, condensado e alongado com características morfológicas de cromossomos em metáfase. O limite da lacuna celular é visível (seta preta). (E) Vista caudal de um crânio de emu juvenil (8–10 meses de idade) mostrando o So e os exoccipitais (Exo) em articulação. (F, G) Corte básico (corado com azul de toluidina) de cartilagem calcificada deste crânio de emu mostrando dupletos de células (setas rosa) com restos de núcleos (setas brancas) e outros sem conteúdo intracelular (seta verde). Crédito:Science China Chemistry (2023). DOI:10.1007/s11426-023-1769-y O artigo descreve ainda o futuro promissor da tecnologia de crescimento de grafeno sem transferência no setor de epitaxia de nitreto e identifica os desafios que devem ser superados para aproveitar todo o seu potencial. Com uma análise minuciosa da literatura existente, a revisão serve como um guia técnico e de aplicação para o uso do grafeno no crescimento epitaxial de nitreto, incentivando novas pesquisas na área.
Esta revisão não só oferece informações valiosas para pesquisadores e profissionais, mas também traça um rumo para futuras direções de pesquisa e inovações tecnológicas no campo do crescimento epitaxial de nitreto.
Mais informações: Xiang Gao et al, Grafeno de deposição de vapor químico sem transferência para epitaxia de nitreto:desafios, status atual e perspectivas futuras, Science China Chemistry (2023). DOI:10.1007/s11426-023-1769-y Fornecido pela Science China Press
