p Camadas de sanduíche de grafeno com grafeno branco podem produzir materiais de design capazes de criar dispositivos eletrônicos de alta frequência, Cientistas da Universidade de Manchester descobriram. p Escrevendo em Nature Nanotechnology , os pesquisadores demonstraram como a combinação de materiais bidimensionais em uma pilha pode criar cristais perfeitos, capazes de serem usados ​​em transistores de próxima geração.

p Nitreto de boro hexagonal (hBN), também conhecido como grafeno branco, faz parte de uma família de materiais bidimensionais descobertos na esteira do isolamento do grafeno na Universidade em 2004. Pesquisadores de Manchester já demonstraram como combinar materiais 2D, em pilhas chamadas heteroestruturas, pode levar a materiais capazes de serem projetados para atender às demandas industriais.

p Agora, pela primeira vez, a equipe demonstrou que o comportamento eletrônico das heteroestruturas pode ser alterado enormemente pelo controle preciso da orientação das camadas cristalinas dentro das pilhas.

p Os pesquisadores, liderado pelo Prêmio Nobel da Universidade de Manchester, Sir Kostya Novoselov, alinhou cuidadosamente dois eletrodos de grafeno separados por hBN e descobriu que havia uma conservação de energia e momento do elétron.

p As descobertas podem abrir caminho para dispositivos com frequências ultra-altas, como sensores eletrônicos ou fotovoltaicos.

p A pesquisa foi realizada com cientistas das Universidades de Lancaster e Nottingham, no Reino Unido, e colegas na Rússia, Seul e Japão.

p Professor Laurence Eaves, um acadêmico conjunto das Universidades de Manchester e Nottingham, disse:"" Esta pesquisa surge de uma bela combinação das leis clássicas do movimento e da natureza de onda quântica dos elétrons, o que permite que eles fluam através das barreiras.

p "Estamos otimistas de que novas melhorias no design do dispositivo levarão a aplicações em eletrônicos de alta frequência."

p Professor Vladimir Falko, da Lancaster University, acrescentou:"Nossa observação de tunelamento e condutância diferencial negativa em dispositivos feitos de multicamadas de grafeno e nitreto de boro hexagonal demonstra o potencial que este sistema tem para aplicações eletrônicas.

p "Agora cabe aos produtores de materiais encontrar maneiras de produzir tais sistemas multicamadas usando técnicas de crescimento em vez do método de transferência mecânica usado neste trabalho."