p Uma equipe de físicos deu um grande passo em direção ao desenvolvimento de dispositivos spintrônicos de grafeno úteis. Os físicos, da City University of Hong Kong e da University of Science and Technology of China, apresentar suas descobertas no American Institute of Physics ' Cartas de Física Aplicada . p Grafeno, uma forma cristalina bidimensional de carbono, está sendo apresentado como uma espécie de "Santo Graal" de materiais. Possui propriedades como uma resistência à ruptura 200 vezes maior do que o aço e, de grande interesse para as indústrias de semicondutores e armazenamento de dados, correntes elétricas que podem passar por ele 100 vezes mais rápido do que no silício.

p Dispositivos spintrônicos estão sendo perseguidos com veemência porque prometem ser menores, mais versátil, e muito mais rápido do que a eletrônica de hoje. "Spin" é uma propriedade da mecânica quântica que surge quando o momento rotacional intrínseco de uma partícula cria um minúsculo campo magnético. E o giro tem uma direção, ou "para cima" ou "para baixo". A direção pode codificar dados nos 0s e 1s do sistema binário, com a chave aqui sendo que o armazenamento de dados baseado em spin não desaparece quando a corrente elétrica para.

p "Há um grande interesse de pesquisa em dispositivos spintrônicos que processam informações usando spins de elétrons, porque esses novos dispositivos oferecem melhor desempenho do que os dispositivos eletrônicos tradicionais e provavelmente os substituirão um dia, "diz Kwok Sum Chan, professor de física da City University of Hong Kong "O grafeno é um material importante para dispositivos spintrônicos porque seu spin eletrônico pode manter sua direção por muito tempo e, como resultado, as informações armazenadas não são perdidas facilmente. "

p Isto é, Contudo, difícil gerar uma corrente de spin no grafeno, que seria uma parte fundamental do transporte de informações em um dispositivo grafeno spintrônico. Chan e seus colegas descobriram um método para fazer exatamente isso. Envolve o uso de spin splitting em monocamada de grafeno gerado por efeito de proximidade ferromagnética e bombeamento quântico adiabático (processo que é lento se comparado à velocidade dos elétrons no dispositivo). Eles podem controlar o grau de polarização da corrente de spin, variando a energia de Fermi (o nível na distribuição de energias de elétrons em um sólido no qual um estado quântico tem a mesma probabilidade de estar ocupado ou vazio), que eles dizem ser muito importante para atender a vários requisitos de aplicação.