p Um estudo combinado de microscopia de força eletrostática e força atômica condutiva em HoMnO3 ferroelétrico monocristalino foi publicado recentemente por usuários da Universidade Rutgers e da Universidade Chung-Ang na Coréia do Sul, trabalhando em colaboração com o Grupo de Materiais e Dispositivos Eletrônicos e Magnéticos no Laboratório Nacional de Argonne. p Ao comparar os dados obtidos no mesmo local da amostra, mas em diferentes temperaturas - abaixo e acima do congelamento do portador de carga - o efeito de retificação do tipo Schottky local na junção da superfície da ponta mostrou ser modulado por polarização ferroelétrica.

p Adicionalmente, o cruzamento para um mecanismo de condução limitado de carga espacial em tensões mais altas no espectro de condutância para ambos os domínios para cima e para baixo foi demonstrado.

p Esses novos resultados revelam uma interação intrigante entre propriedades eletrônicas e polarização ferroelétrica, e apontam para a possibilidade de eletrônica multiferróica com ferroelétrica, magnético, e multifuncionalidade de transporte de carga em multiferroics de pequeno intervalo de banda.