Transistor de junção bipolar (BJT) vs. Transistor de Efeito de Campo (FET)

BJTs e FETs são dispositivos semicondutores de três terminais usados ​​para amplificar e alternar sinais eletrônicos. No entanto, eles diferem em seus princípios operacionais, construção e características:

1. Princípio operacional:

* bjt: O fluxo de corrente através de um BJT é controlado pela corrente base . Uma pequena corrente base pode controlar uma corrente de colecionador muito maior. O BJT é um dispositivo controlado por corrente .
* FET: O fluxo de corrente através de um FET é controlado pela tensão gate . Uma mudança na tensão do portão altera a condutividade do canal, controlando assim a corrente. O FET é um dispositivo controlado por voltagem .

2. Construção:

* bjt: BJTs são feitos de duas junções pn -Uma junção em êxtas-base e uma junção de colecionador de base. A base é uma região fina e levemente dopada, imprensada entre o emissor e o coletor.
* FET: Fets consistem em uma junção PN única (para JFETs) ou a estrutura de óxido de metal-semicondutor (MOS) (para MOSFETs). O portão é isolado do canal por uma camada de óxido.

3. Características:

bjt:
* Ganho de corrente mais alto: Os BJTs geralmente têm um ganho de corrente mais alto (β) do que os FETs.
* menor impedância de entrada: Os BJTs têm menor impedância de entrada que os FETs.
* mais sensível às mudanças de temperatura: Os BJTs exibem uma sensibilidade de temperatura mais alta que os FETs.
* mais suscetível ao ruído: Os BJTs tendem a ser mais suscetíveis ao ruído do que os Fets.

FET:
* impedância de entrada mais alta: Os FETs têm uma impedância de entrada mais alta que os BJTs.
* menor consumo de energia: Os FETs geralmente consomem menos energia que os BJTs.
* Ruído inferior: Os FETs tendem a ter ruído mais baixo que os BJTs.
* ampla gama de frequências operacionais: Os FETs são adequados para aplicações de alta frequência.

4. Aplicações:

* bjt: Amplificadores, interruptores, osciladores, circuitos lógicos, eletrônicos de potência e muito mais.
* FET: Amplificadores de baixo ruído, circuitos de RF, sensores, amplificadores de alta frequência e muito mais.

Tabela de resumo:

| Recurso | BJT | FET |
| --- | --- | --- |
| Mecanismo de controle | Controlado por corrente | Controlado por voltagem |
| Construção | Duas junções PN | Junção PN única ou estrutura MOS |
| Ganho atual | Alto | Inferior |
| impedância de entrada | Baixo | Alto |
| sensibilidade à temperatura | Alto | Baixo |
| ruído | Alto | Baixo |
| Consumo de energia | Alto | Baixo |
| Frequência de operação | Inferior | Superior |

em conclusão , BJTs e FETs têm seus pontos fortes e fracos, tornando -os adequados para diferentes aplicações. A escolha entre eles depende dos requisitos específicos do circuito.