A corrente de saturação reversa de um diodo, denotada como
Iₛ , muda com a temperatura. A relação entre
Iₛ e a temperatura é normalmente exponencial, o que significa que
Iₛ aumenta rapidamente à medida que a temperatura aumenta.
Aqui está uma explicação de como a temperatura afeta a corrente de saturação reversa:
1.
Aumento da geração de operadoras minoritárias: À medida que a temperatura aumenta, a energia térmica fornecida ao material semicondutor aumenta. Isso resulta em mais elétrons ganhando energia suficiente para saltar da banda de valência para a banda de condução, criando pares elétron-buraco. Esses portadores minoritários (elétrons na região do tipo p e lacunas na região do tipo n) contribuem para a corrente de saturação reversa.
2.
Difusão aprimorada: A maior energia térmica também aumenta a mobilidade dos transportadores minoritários. Isto significa que os portadores minoritários podem difundir-se mais facilmente através da região de esgotamento, contribuindo ainda mais para a corrente de saturação reversa.
3.
Banda proibida reduzida: Com o aumento da temperatura, o bandgap de energia do material semicondutor diminui. Isto torna mais fácil para os elétrons cruzarem a junção e entrarem na região oposta, levando a um aumento na corrente de saturação reversa.
A relação exponencial entre
Iₛ e a temperatura pode ser expressa matematicamente usando a seguinte equação:
Iₛ(T) =Iₛ(T₀) * (T/T₀)^(n) onde:
-
Iₛ(T) é a corrente de saturação reversa na temperatura
T .
-
Iₛ(T₀) é a corrente de saturação reversa a uma temperatura de referência
T₀ .
-
n é uma constante empírica que depende do material semicondutor. Normalmente tem um valor entre 2 e 3.
À medida que a temperatura aumenta,
Iₛ(T) aumenta exponencialmente, resultando em uma corrente reversa mais alta através do diodo. Este efeito torna-se mais pronunciado em temperaturas mais elevadas.
Resumindo, a corrente de saturação reversa de um diodo não é constante, mas aumenta com a temperatura. Esta dependência da temperatura é governada por uma relação exponencial entre
Iₛ e temperatura.