A técnica desenvolvida para a formação precisa de ligações de siloxano. Crédito:Ciência e Tecnologia Industrial Avançada
A AIST desenvolveu uma técnica de síntese em um único vaso que forma seletivamente ligações de siloxano que formam o esqueleto principal dos materiais organossilício, a fim de sintetizar compostos de siloxano estruturalmente bem definidos em um processo.
Com a técnica desenvolvida para síntese de ligações de siloxano em um único vaso (síntese em que múltiplas reações são feitas para ocorrer em sucessão no mesmo vaso do reator), é possível sintetizar compostos de siloxano com uma estrutura correspondente à ordem em que os di-hidro-silanos (ou tri-hidro-silanos) são adicionados ao vaso do reator. Em princípio, subprodutos não são produzidos, ou podem ser facilmente separados porque são gases à temperatura e pressão ambientes. Com a técnica desenvolvida, é possível reduzir bastante processos como isolamento e purificação de produtos e lavagem de vasos de reatores após cada reação.
Nos últimos anos, a demanda por maior desempenho e maior funcionalidade de materiais de organossilício, como silicone, aumentou, e há necessidade de técnicas capazes de controlar com precisão a estrutura dos materiais de organossilício. Embora existam técnicas capazes de formar seletivamente um tipo de ligação de siloxano, como o método de condensação cruzada, a síntese em múltiplos estágios tem sido necessária a fim de obter compostos complexos de siloxano, e há também a questão do subproduto remanescente. Na presente pesquisa, os pesquisadores trabalharam no desenvolvimento de uma nova técnica para a formação precisa de ligações de siloxano com uma abordagem diferente dos métodos convencionais.
Os pesquisadores irão aprimorar a técnica desenvolvida para desenvolver técnicas pelas quais sequências mais longas de ligações de siloxano podem ser formadas com precisão. Além disso, materiais de organossilício altamente funcionais e de alto desempenho serão desenvolvidos via controle estrutural que aplica a técnica desenvolvida.