p Dispositivos eletrônicos bidimensionais podem chegar mais perto de sua promessa final de baixo consumo de energia, alta eficiência e flexibilidade mecânica com uma técnica de processamento desenvolvida no Laboratório Nacional Oak Ridge do Departamento de Energia. p Uma equipe liderada por Olga Ovchinnikova do Centro de Divisão de Ciências de Materiais de Nanofase do ORNL usou um microscópio de íon de hélio, um "jato de areia" em escala atômica, "em uma superfície ferroelétrica em camadas de um tiofosfato de cobre e índio a granel. O resultado, detalhado no jornal Materiais e interfaces aplicados ACS , é uma descoberta surpreendente de um material com propriedades personalizadas potencialmente úteis para telefones, fotovoltaica, eletrônicos e telas flexíveis.

p "Nosso método abre caminhos para escrever diretamente e editar circuitos em material 2-D sem os complicados processos litográficos de várias etapas atuais, "Ovchinnikova disse.

p Ela e o colega Alex Belianinov observaram que, embora o microscópio de íon hélio seja normalmente usado para cortar e dar forma à matéria, eles demonstraram que também pode ser usado para controlar a distribuição do domínio ferroelétrico, aumentar a condutividade e desenvolver nanoestruturas. Seu trabalho pode estabelecer um caminho para substituir o silício como a escolha para semicondutores em algumas aplicações.

p "Todo mundo está procurando o próximo material - o que substituirá o silício nos transistores, "disse Belianinov, o autor principal. "Os dispositivos 2-D se destacam por terem baixo consumo de energia e serem mais fáceis e mais baratos de fabricar, sem a necessidade de produtos químicos agressivos que são potencialmente prejudiciais ao meio ambiente."

p Reduzir o consumo de energia usando dispositivos baseados em 2-D pode ser tão significativo quanto melhorar o desempenho da bateria. "Imagine ter um telefone que você não precisa recarregar, mas uma vez por mês, "Ovchinnikova disse.