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  • Novos dispositivos de memória ultrarrápidos, flexíveis e transparentes podem anunciar uma nova era da eletrônica
    p Crédito:ACS

    p Uma técnica inovadora para produzir o mais rápido, menor, as memórias de maior capacidade para aplicações flexíveis e transparentes podem preparar o caminho para uma futura era de ouro da eletrônica. p Especialistas em engenharia da Universidade de Exeter desenvolveram uma nova memória inovadora usando um híbrido de óxido de grafeno e óxido de titânio. Seus dispositivos são de baixo custo e de produção ecológica, também são perfeitamente adequados para uso em dispositivos eletrônicos flexíveis, como telefones móveis 'dobráveis', telas de computador e televisão, e até roupas 'inteligentes'.

    p Crucialmente, esses dispositivos também podem ter o potencial de oferecer uma alternativa mais barata e mais adaptável à 'memória flash', que atualmente é usado em muitos dispositivos comuns, como cartões de memória, placas gráficas e unidades de computador USB.

    p A equipe de pesquisa insiste que esses novos dispositivos inovadores têm o potencial de revolucionar não apenas a forma como os dados são armazenados, mas também leva a eletrônica flexível para uma nova era em termos de velocidade, eficiência e potência.

    p A pesquisa é publicada na principal revista científica ACS Nano .

    p Professor David Wright, um especialista em Engenharia Eletrônica da Universidade de Exeter e principal autor do artigo disse:"O uso de óxido de grafeno para produzir dispositivos de memória já foi relatado antes, mas eles eram normalmente muito grandes, devagar, e voltado para o fim 'barato e alegre' do mercado de produtos eletrônicos.

    p "Nossa memória híbrida de óxido de grafeno-óxido de titânio é, em contraste, apenas 50 nanômetros de comprimento e 8 nanômetros de espessura e podem ser gravados e lidos em menos de cinco nanossegundos - com um nanômetro sendo um bilionésimo de um metro e um nanossegundo um bilionésimo de segundo. "

    p Professor Craciun, um co-autor do trabalho, acrescentou:"Ser capaz de melhorar o armazenamento de dados é a espinha dorsal da economia do conhecimento de amanhã, bem como a indústria em escala global. Nosso trabalho oferece a oportunidade de transformar completamente a tecnologia de memória de óxido de grafeno, e o potencial e as possibilidades que oferece. "


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