p Pesquisadores da North Carolina State University desenvolveram uma técnica para converter óxido de grafeno reduzido (rGO) com carga positiva (tipo p) em rGO com carga negativa (tipo n), criar um material em camadas que pode ser usado para desenvolver transistores baseados em rGO para uso em dispositivos eletrônicos. p "O grafeno é extremamente condutor, mas não é um semicondutor; óxido de grafeno tem um bandgap como um semicondutor, mas não conduz nada bem - então criamos rGO, "diz Jay Narayan, John C. Fan Distinguished Chair Professor of Materials Science and Engineering na NC State e autor correspondente de um artigo que descreve o trabalho. "Mas rGO é do tipo p, e precisávamos encontrar uma maneira de fazer rGO do tipo n. E agora temos isso para a próxima geração, dispositivos eletrônicos bidimensionais. "

p Especificamente, Narayan e Anagh Bhaumik - um Ph.D. aluno em seu laboratório - demonstrou duas coisas neste estudo. Primeiro, eles foram capazes de integrar rGO em bolachas de safira e silício - em toda a bolacha.

p Segundo, os pesquisadores usaram pulsos de laser de alta potência para interromper grupos químicos em intervalos regulares através do wafer. Essa interrupção moveu os elétrons de um grupo para outro, efetivamente convertendo rGO tipo p em rGO tipo n. Todo o processo é feito em temperatura e pressão ambiente usando pulsos de laser de nanossegundos de alta potência, e é concluído em menos de um quinto de um microssegundo. O recozimento de radiação a laser fornece um alto grau de controle espacial e de profundidade para criar as regiões do tipo n necessárias para criar dispositivos eletrônicos bidimensionais baseados em junção p-n.

p O resultado final é um wafer com uma camada de rGO tipo n na superfície e uma camada de rGO tipo p por baixo.

p Isso é fundamental, porque a junção p-n, onde os dois tipos se encontram, é o que torna o material útil para aplicações de transistores.

p O papel, "Conversão de óxido de grafeno reduzido tipo p para n por recozimento a laser à temperatura e pressão ambiente, "é publicado no Journal of Applied Physics .