p Pesquisadores da Universidade de Hokkaido descrevem um novo método de fazer nanofios verticais de alta qualidade com controle total sobre seu tamanho, densidade e distribuição sobre um substrato semicondutor. As descobertas são relatadas no Jornal Japonês de Física Aplicada . p Os nanofios possuem propriedades interessantes que não são encontradas em materiais a granel, tornando-os úteis em componentes para novos dispositivos eletrônicos e fotônicos. Há muito interesse no desenvolvimento de verticais, nanofios independentes, pois sua versatilidade mostra uma grande promessa. Contudo, a maioria dos projetos atuais usa técnicas de fabricação de baixo para cima que resultam em nanofios verticais sendo distribuídos aleatoriamente em substratos semicondutores, limitando sua usabilidade.

p Agora, Ryutaro Kodaira, Shinjiro Hara e colegas de trabalho da Universidade de Hokkaido demonstraram um novo método de fazer nanofios verticais de alta qualidade com controle total sobre seu tamanho, densidade e distribuição sobre um substrato semicondutor.

p A equipe criou um modelo de nanofio de arseneto de índio (InAs) a partir do qual crescer os nanofios de heterojunção desejados, que eram compostos por arsenieto de manganês ferromagnético (MnAs) e InAs semicondutores. No processo de fabricação, eles primeiro produziram o modelo de nanofio InAs padronizando com precisão aberturas circulares em filmes finos de dióxido de silício, que foram depositados por pulverização de plasma em bolachas. Em seguida, os pesquisadores cultivaram nanofios de InAs únicos em cada orifício circular. Os nanofios MnAs formados dentro (no meio) ou no topo dos nanofios InAs, por um processo conhecido como 'endotaxia' - crescimento de cristal orientado dentro de outro cristal.

p Os nanofios MnAs tinham uma estrutura hexagonal, não exibindo defeitos ou deslocamentos, e nenhuma contaminação com outros elementos. A interface entre os nanofios InAs semicondutores e os nanofios MnAs ferromagnéticos oferece possibilidades interessantes para dispositivos futuros. De fato, A equipe de Kodaira e Hara já está usando seus novos nanofios para caracterizar cuidadosamente as propriedades de magnetotransporte dos nanofios para a fabricação potencial de aplicações de dispositivos spintrônicos verticais.

p Os nanofios podem ser inestimáveis ​​em dispositivos de detecção de próxima geração para eletrônicos, aplicações fotônicas e bioquímicas. Os novos nanofios criados pela equipe podem ampliar a versatilidade dos nanofios até mesmo para a spintrônica em escala nano.