p Uma equipe liderada por pesquisadores da Koç University, Turquia e EPFL, Suíça, desenvolveu uma técnica monolítica para fabricar nanofios de silício abrangendo valas ultraprofundas de silício. p A abordagem se assemelha a um extremo, versão em nanoescala do processo SCREAM desenvolvido no início dos anos 90 para fabricação de MEMS. Esta nova tecnologia de fabricação se baseia em "esculpir" nanofios de silício dentro de um pedaço de cristal de silício de forma que os nanofios sejam totalmente integrados com outras estruturas de silício que são milhares de vezes maiores. A dimensão mínima do nanofio é da ordem de 20 nm e os nanofios se assemelham a cabos suspensos pendurados a uma distância de 10 mícrons do fundo da trincheira, com espaço para melhorias adicionais na profundidade de corrosão.

p A tecnologia se baseia em um equilíbrio complexo entre dois processos diferentes de corrosão por plasma. Como o primeiro processo cria o componente em nanoescala, o processo subsequente é responsável por decapagem de valas profundas. Proteção da ponte em miniatura, o nanofio, durante este ataque profundo e severo é crucial para o sucesso da técnica.

p O aspecto atraente desta tecnologia de cima para baixo é que os nanofios e as estruturas em microescala são formados simultaneamente, permitindo a fabricação no local, sem qualquer necessidade de transporte, manipular e "colar" os nanofios no local desejado. Desta forma, cada nanofio de silício está perfeitamente alinhado em relação à arquitetura circundante. Portanto, pode-se formar milhões dessas pontes em paralelo. A tecnologia abre a possibilidade de conectar estruturas muito espessas com canais muito finos. Espera-se encontrar aplicações especialmente em sensores SOI MEMS.