p Uma forma em desenvolvimento de memória de computador tem o potencial de armazenar informações de forma mais rápida e barata, enquanto usa menos energia, do que o que é usado hoje pela indústria de semicondutores, O professor de física da NYU, Andrew Kent, conclui. p Em uma análise que aparece no jornal Nature Nanotechnology , Kent e seu colega Daniel Worledge do IBM Watson Research Center discutem um novo tipo de memória, memória de acesso aleatório magnético de spin-transfer-torque (STT-MRAM).

p STT-MRAM depende do magnetismo para armazenar informações, como aquele usado em discos rígidos existentes. Contudo, em contraste com os discos rígidos, STT-MRAM é escrito e lido eletricamente, ou seja, aplicando apenas correntes elétricas. Ele não possui peças móveis como um disco rígido magnético e, portanto, pode operar muito mais rápido do que um disco rígido. Mais significativamente, STT-MRAM pode operar tão rápido quanto as memórias de acesso aleatório baseadas em semicondutores mais rápidas, e, portanto, ser usado como memória de trabalho de um computador e dispositivo portátil (por exemplo, smartphone) - uma memória que é acessada com frequência.

p Como resultado, esses dispositivos magnéticos podem ser usados ​​para melhorar o desempenho de tais dispositivos, adicionando velocidade enquanto, ao mesmo tempo, reduzindo significativamente a quantidade de energia necessária.

p Kent e Worledge alertam que vários "desafios tecnológicos devem ser enfrentados antes que o STT-MRAM possa ser amplamente adotado nas aplicações mais avançadas" - talvez o mais importante, avanços que aumentam sua capacidade de armazenamento de informações.

p Contudo, eles observam que o progresso feito na última década, graças aos rápidos avanços feitos na pesquisa acadêmica e industrial, oferece grande esperança de que essa tecnologia de memória pioneira encontre seu caminho em nossos computadores e dispositivos portáteis no futuro.