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  • Pesquisadores desenvolvem memória multinível para eletrônicos de consumo
    p Um nanofio de óxido de titânio atua como um diodo e um memristor

    p Pesquisadores da AMBER, o centro de ciência de materiais financiado pela Science Foundation Ireland, e a Escola de Química, Trinity College Dublin, desenvolveram uma solução para aumentar a velocidade de interação entre processador e memória em computadores e outros dispositivos eletrônicos. p Em vez de cada célula de memória armazenar apenas uma única peça ou 'bit' de informação, a equipe - liderada pelo professor John Boland com os pesquisadores Curtis O'Kelly e Jessamyn Fairfield desenvolveu uma memória multinível na qual é possível programar uma série de bits armazenados em uma única célula. A memória multinível aumenta a velocidade de comunicação, reduzindo o número de células de memória.

    p Quer seu aplicativo favorito seja executado em um telefone celular ou um supercomputador, o desempenho não depende mais apenas do poder do cérebro ou da chamada velocidade do processador. Funcionar, o processador precisa se comunicar de forma eficiente com a memória do chip. As propriedades dos fios de metal que conectam o processador e a memória fornecem um limite de velocidade fundamental.

    p Professor John Boland, ÂMBAR, explicou:"Os processadores e a memória se comunicam usando a linguagem desajeitada do código binário. A memória convencional no chip armazena informações como '1's' e '0's', que reflete a presença ou ausência de carga no local da memória. Por exemplo, 2014 em linguagem binária requer 11 células de memória. O computador leva tempo para acessar um número tão grande de células e, portanto, o desempenho geral é prejudicado. O novo processo reduz o número de células necessárias. "

    p O esquema proposto pelos pesquisadores do AMBER opera em um princípio diferente; a resistência ao fluxo de carga, conhecido como memória resistiva, que em última análise leva a um processamento mais simplificado com menos células, mas com cada uma tendo vários níveis de memória. Uma vantagem particular da nova abordagem é que é possível ajustar arbitrariamente o número de níveis de memória dentro de cada célula.

    p "A descoberta abre uma série de possibilidades para o consumidor, levando a menores, eletrônicos mais baratos e mais rápidos. Tendo demonstrado seis níveis de memória por célula, acreditamos que a tecnologia pode ser desenvolvida para exibir ainda mais níveis de memória por célula. Uma linguagem de memória com maior densidade pode aumentar a eficiência e velocidade do desktop e da tecnologia móvel, reduzindo o número de locais de memória, "disse o professor Boland.

    p "Outras pesquisas serão focadas na integração desta tecnologia com as capacidades existentes de fabricação da indústria, para que a sociedade possa continuar a colher os benefícios com tecnologias novas e aprimoradas, "Professor Boland concluiu.


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