Pesquisadores do Instituto Nacional de Padrões e Tecnologia (NIST) desenvolveram um novo método para medir como a deformação afeta as propriedades elétricas dos semicondutores. Este método, denominado fotoluminescência induzida por estresse (SIPL), poderia ser usado para melhorar o desempenho de dispositivos semicondutores, como transistores e células solares.

Semicondutores são materiais que podem conduzir eletricidade sob certas condições. A condutividade de um semicondutor pode ser afetada pela deformação, que é uma força que faz com que um material se estique ou comprima. Por exemplo, quando uma pastilha de silício é esticada, a sua condutividade aumenta.

Este efeito é importante para dispositivos semicondutores porque pode ser usado para controlar o fluxo de eletricidade. Ao aplicar tensão a um semicondutor, é possível criar canais de alta condutividade que podem transportar sinais elétricos.

O novo método SIPL usa luz para medir a deformação em um semicondutor. Quando a luz incide sobre um semicondutor, ela pode excitar elétrons e fazer com que emitam fótons. A energia dos fótons emitidos depende da deformação do semicondutor. Medindo a energia dos fótons, é possível determinar a quantidade de deformação.

O método SIPL é muito sensível e pode medir a deformação até níveis muito pequenos. Isto torna possível estudar os efeitos da tensão em dispositivos semicondutores em um nível muito detalhado. Isso pode levar a melhorias no desempenho desses dispositivos.

O novo método SIPL também poderia ser usado para estudar outros materiais. Por exemplo, o SIPL poderia ser usado para estudar como a deformação afeta as propriedades de metais e cerâmicas. Isso poderia levar a novos insights sobre as propriedades mecânicas dos materiais.

O desenvolvimento do novo método SIPL é um avanço significativo no campo da pesquisa de semicondutores. Este método tem o potencial de levar a melhorias no desempenho de dispositivos semicondutores e a novos insights sobre as propriedades dos materiais.