Pesquisadores implementam portas lógicas usando absorção de dois fótons em amplificadores ópticos semicondutores de reservatório transportador
Crédito:Pixabay/CC0 Public Domain
Quando um trem de pulso óptico é fornecido, o bombeamento induzido por absorção de dois fótons (TPA) causa ganho e mudanças de fase consideráveis e rápidos no amplificador óptico semicondutor do reservatório transportador (CR-SOA).
Recentemente, Amer Kotb e Li Wei do Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics (CIOMP) da Academia Chinesa de Ciências e Kyriakos Zoiros da Democritus University of Thrace na Grécia combinaram os benefícios físicos do TPA com os do CR- SOAs para implementar teoricamente portas lógicas XOR, AND, NOR, OR, NAND e XNOR totalmente ópticas a uma taxa de dados de 320 Gb/s.
Este estudo foi publicado em
Optik . Até agora, o desempenho das portas lógicas estudadas nunca havia sido investigado utilizando CR-SOAs com TPA induzido a 320 Gb/s.
O interferômetro Mach-Zehnder, que possui dois CR-SOAs simétricos dispostos em seus dois braços, é usado para implementar as portas lógicas XOR, AND, NOR, NAND e XNOR, enquanto a porta lógica OR é construída combinando um CR-SOA com um interferômetro retardado. O desempenho das portas foi avaliado usando o fator de qualidade (QF) e a taxa de erro de bit (BER) que o acompanha.
Os pesquisadores também compararam seu trabalho com os esquemas relatados para implementar teoricamente as portas lógicas consideradas empregando (CR)-SOAs em diferentes velocidades.
Os resultados da simulação mostram que essas portas lógicas podem ser implementadas a 320 Gb/s com QF e BER muito melhores quando TPA é considerado em CR-SOAs, enquanto sem TPA isso não é possível, pois as métricas são seriamente degradadas.
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