Quando o silício (Si) reage com o cloreto de cobre (CuCl2), ocorre a seguinte reação química:

Si + 2CuCl2 → SiCl4 + 2Cu

Nessa reação, o silício atua como agente redutor, transferindo elétrons para íons cobre (Cu2+) no cloreto de cobre. Como resultado, os íons de cobre são reduzidos a cobre elementar (Cu), que forma uma camada sólida na superfície do silício. Simultaneamente, os átomos de silício são oxidados para formar tetracloreto de silício (SiCl4), um líquido volátil.

A reação global pode ser resumida como:

O silício reduz os íons de cobre, formando cobre elementar e tetracloreto de silício.

Esta reação é comumente usada na indústria de semicondutores para remover contaminantes indesejados de cobre de pastilhas de silício durante a fabricação de circuitos integrados. A contaminação por cobre pode afetar adversamente as propriedades elétricas dos dispositivos de silício, por isso é essencial eliminá-la antes do processamento posterior.