p Os engenheiros do CNST NanoFab desenvolveram uma nova técnica de corrosão de plasma para silício que melhora a taxa de corrosão, a seletividade da máscara, e o perfil da parede lateral otimizando a adição de argônio ao fluxo do processo. Estruturas de silício de proporção pequena e alta agora podem ser facilmente e mais rapidamente fabricadas no NanoFab usando química de plasma fluorado que é inerentemente isotrópico. p A adição direta de argônio a um plasma SF6 / C4F8 típico causa principalmente diluição e reduz a taxa de corrosão. Ao alternar a etapa de gravação com uma etapa apenas de argônio, tanto a alta seletividade quanto as altas taxas de corrosão foram obtidas enquanto se mantinham a corrosão anisotrópica.

p Em uma gravação profunda de silício, C4F8 é usado para proteger as paredes laterais de Si e SF6 é usado para decapagem. A mistura de argônio com os gases de corrosão fornece uma melhoria muito limitada ou nenhuma melhoria na taxa de corrosão devido à diluição.

p Contudo, alternar as etapas de bombardeio de superfície de argônio com as etapas de gravação química resulta em um aumento de quatro vezes na taxa de gravação de silício, mantendo as paredes laterais verticais.

p A taxa de corrosão de silício aumenta com o tempo da etapa de argônio, independente do tempo da etapa SF6, e a etapa de bombardeio de argônio é determinante da taxa. Isso influencia a taxa de gravação, bem como a seletividade e o perfil de gravação.

p Os engenheiros postulam que o bombardeio de superfície de argônio torna amorfas as camadas atômicas superiores do silício, e então o flúor em fase gasosa pode reagir e remover o silício. Com os longos tempos de corrosão associados à corrosão profunda em trincheiras de silício, este processo mais rápido provavelmente se tornará amplamente utilizado.