p (Em cima) Padrões de nanodifração de raios-X coerentes com feixe focalizado coletados de uma borda de dispositivo de protótipo SiGe-on-SOI e campo de deformação projetado (meio e inferior) reconstruído por métodos pticográficos.
p (Phys.org) —A estrutura teórica e experimental de uma nova abordagem de imagem de cepa de difração coerente foi desenvolvida no Grupo de Microscopia de Raios-X do Center for Nanoscale Materials em colaboração com a Divisão de Ciência de Materiais da Argonne, junto com usuários da IBM. A pticografia de projeção de Bragg com raios X nanofocados cria uma ferramenta para obter imagens de campos de deformação com condições de contorno não perturbadas em sistemas de energia relevantes do ponto de vista técnico e científico. p Esta nova técnica é capaz de gerar imagens de distorções de rede em filmes finos de forma não destrutiva em resoluções espaciais de <20 nm usando raios X duros nanofocados coerentes. Este trabalho marca um passo significativo no desenvolvimento de técnicas de imagem de difração de raios-X coerentes não destrutivas para o estudo de características de rede em nanoescala em materiais reais sob condições reais. Este estudo, em que sutilezas estruturais foram resolvidas em um protótipo de dispositivo decorrente de efeitos de tamanho intrínsecos e condições de contorno extrínsecas, abre o caminho para estudos não destrutivos de estrutura em materiais em escalas de comprimento nanométrico onde a previsão, medição, e o controle da tensão é difícil.
p Os dados obtidos a partir do sistema representado foram usados para determinar o perfil da deformação da rede em uma camada estressora epitaxial de SiGe de um dispositivo de protótipo de silício. A medição de tensão de incompatibilidades de rede epitaxial e processamento de dispositivo pode testar previsões de modelagem elástica contínua de distribuições de cepas em nanoescala.