p Um estudo pioneiro realizado por pesquisadores da Universidade Politécnica de Hong Kong (PolyU) mostrou que ensanduichar uma simples camada de nanopartículas de prata pode melhorar significativamente o desempenho de transistores orgânicos comumente usados ​​em eletrônicos de consumo. p Espera-se que esse avanço revolucionário reduza o custo de dispositivos de memória, como telas sensíveis ao toque e e-books, e melhore seu desempenho.

p Esta pesquisa de ponta é liderada pelo Dr. Paddy Chan Kwok-leung, Professor Assistente do Departamento de Engenharia Mecânica, e o Dr. Leung Chi-wah, Professor Assistente do Departamento de Física Aplicada, com o pesquisador de pós-doutorado Dr. Sumei Wang como um dos membros principais. A descoberta foi publicada na última edição (agosto de 2010) de Cartas de Física Aplicada . Esse trabalho também será apresentado na edição de setembro da Progresso da Engenharia Química .

p O transistor orgânico envolve o uso de compostos orgânicos semicondutores em componentes eletrônicos. É uma parte fundamental dos dispositivos eletrônicos, como telas sensíveis ao toque. Os monitores de computador habilitados por transistores orgânicos são brilhantes com cores vivas. Eles também fornecem tempo de resposta rápido e são fáceis de ler na maioria das condições de iluminação ambiente. Com o uso adequado da nanotecnologia, o desempenho dos transistores orgânicos pode ser melhorado ainda mais e seu tamanho pode ser feito mais fino. O novo método desenvolvido pelos pesquisadores da PolyU é muito mais compatível com o baixo custo, técnicas de fabricação contínua rolo a rolo usadas para fazer eletrônicos orgânicos.

p Mais importante, O Dr. Chan e seus co-pesquisadores mostraram que a espessura da camada de nanopartículas altera o desempenho do dispositivo de memória de uma forma mais previsível, otimizando assim o desempenho do transistor para atender aos requisitos da aplicação. Os transistores orgânicos feitos com uma camada de nanopartículas de 1 nanômetro têm memória estável que dura três horas, tornando-o adequado para buffers de memória. E os transistores com uma camada de 5 nanômetros de espessura podem reter sua carga por muito mais tempo.

p Os pesquisadores da PolyU prevêem um potencial muito alto para o uso de memória orgânica em dispositivos de memória de próxima geração devido à sua flexibilidade e custo relativamente baixo.