Adaptando feixes de vórtice de elétrons com padrões de intensidade personalizáveis por holografia de difração de elétrons
Esquema de geração de EVBs estruturados. As máscaras de fase holográfica binária podem ser projetadas com a fase espiral generalizada para moldar os elétrons livres incidentes para gerar EVBs estruturados com padrões de intensidade personalizáveis. A máscara de fase é composta por grades bifurcadas em nanoescala fabricadas em membranas de nitreto de silício com 100 nm de espessura. Crédito:Avanços Opto-Eletrônicos (2024). DOI:10.29026/oea.2024.230184
Um novo estudo de pesquisa da Opto-Electronic Advances discute a adaptação de feixes de vórtices de elétrons com padrões de intensidade personalizáveis por holografia de difração de elétrons.